氣相沉積爐的結構及工作原理　　氣相沉積爐（Gas Phase Deposition Furnace）是一種用于材料薄膜生長的實驗設備，常用于半導體、光電子、納米科技等領域。下面是氣相沉積爐的基本結構和工作原理的簡要說明：　　氣相沉積爐結構：　　氣相沉積爐通常由以下幾個主要組成部分構成：　　1.反應室（Reaction Chamber）：用于放置材料襯底（Substrate）以及執行反應的區域。反應室通常是一個密封的金屬腔體，具有高溫抗腐蝕性能。　　2.加熱系統（Heating System）：用于提供反應室內的高溫環境。加熱系統通常采用電阻加熱或感應加熱的方式，通過加熱元件（比如加熱線圈）提供熱源。　　3.氣體供應系統（Gas Supply System）：用于控制和提供反應室內所需的氣體混合物。氣體供應系統通常包括多個氣體進口、流量控制器和混合裝置等。　　4.排氣系統（Exhaust System）：用于排除反應室內產生的廢氣和雜質。排氣系統通常包括真空泵和廢氣處理裝置等。　　5.控制系統（Control System）：用于對爐子的溫度、氣體流量等參數進行實時監控和調節。　　氣相沉積爐工作原理：　　氣相沉積爐的工作原理是利用熱分解或化學反應將氣體源中的原料分子在高溫環境下轉化為可沉積的材料薄膜。具體步驟如下：　　1.襯底放置：將待生長的襯底放置在反應室中的加熱區域，通常通過夾持裝置固定。　　2.加熱預處理：加熱系統提供熱源，將反應室內的溫度升至所需的生長溫度。此過程通常在惰性氣氛下進行，以排除氧氣和其他雜質。　　3.氣體供應和反應：氣體供應系統控制并提供所需的氣體混合物，其通過進入反應室與襯底表面發生化學反應或熱分解，產生可沉積的物種。　　4.材料沉積：沉積物種在襯底表面吸附并形成一層薄膜。其形貌、結構和性質可通過控制溫度、氣體流量和沉積時間等參數來調節。　　5.冷卻和取出：完成材料沉積后，可關閉氣體供應和加熱系統，讓襯底緩慢冷卻。待冷卻至安全溫度后，可以取出生長的薄膜。　　需要注意的是，具體的氣相沉積爐工作原理會因不同類型的沉積方法（如化學氣相沉積、物理氣相沉積等）和所研究的材料而有所不同。上述僅為一般的工作原理示意，實際操作中需根據具體情況進行參數調節和設備操作。

　　真空燒結爐主要用于活性金屬和難溶金屬以及硬質合金，磁性材料和不銹鋼等的燒結。它實際上是低壓(減壓)燒結。真空度愈高，愈接近中性氣氛，愈與材料不發生任何化學反應。 　　真空燒結爐的主要優點是： 　　(1)真空有利于排除吸附氣體，對促進燒結后期的收縮作用明顯。 　　(2)真空有利于硅，鋁，鎂，鈣等雜質或其氧化物的排除，起到提純材料的作用。 　　(3)真空可改善液相燒結的潤濕性，有利于燒結過程中的收縮和改善合金的組織結構。 　　(4)真空是理想的惰性氣氛，當不宜用其他還原性或惰性氣體時，或者對容易出現脫碳，滲碳的材料，均可采用真空燒結爐。 　　(5)減少氣氛中的有害成分(水，氧，氮等)對產品的玷污。例如，電解氫中的含水量要求降至***-40℃較為困難;而真空燒結時，真空度只要在數百Pa就相當于含水量為***-40℃。 　　真空下的液相燒結，發生粘結金屬的揮發損失是個重要問題。這不僅改變和影響合金的***終成分和組織結構，而且對燒結過程本身也起阻礙作用。粘結金屬的揮發損失，主要是在燒結后期(即保溫階段)發生。真空燒結爐的保溫時間越長，粘結金屬的揮發損失越多。為此，化物雜質，水分等與材料中的碳發生反應，生成CO隨爐排出。此時爐壓明顯提高，合金中的總碳量降低。顯然，碳含量的變化取決于原材料粉末中的氧含量以及燒結時的真空度。兩者越高時，生成一氧化碳的反映越容易進行，脫碳也越嚴重。 　　真空燒結爐的真空燒結與氣體保護燒結的工藝沒有根本區別，只是燒結溫度低一些，一般可降低100~150℃。這有利于延長燒結爐的壽命和降低電能的消耗。